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SIMG10000 MEMS ギロスコープ 10°/h ゼロバイアス 安定性 高性能 コンパクト 11.00×11.00×2.75mm

SIMG10000 MEMS ギロスコープ 10°/h ゼロバイアス 安定性 高性能 コンパクト 11.00×11.00×2.75mm

MOQ: 1セット
配達期間: 5~8営業日
支払方法: L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタンユニオン
詳細情報
ブランド名
SI
モデル番号
SIMG10000
バイアスの安定性:
≤5°/h
帯域幅:
≥50 Hz
非線形スケーリング係数:
≤100 PPM
現在:
40mA
耐衝撃性(無電力):
10000g
タイプ:
MEMS ギロスコップチップ
ハイライト:

高精度MEMSジロスコップチップ

,

高精度加速センサー

,

高精度MEMS加速度センサー

製品の説明

完全に国内のシリコンベースMEMS技術プラットフォーム上に構築されたこのシステムは、高性能、高信頼性、完全な自律性というコアの強みにより、正確で信頼性の高い慣性センシングを提供します。
精密マイクロメカニカル設計、高度な製造プロセス、インテリジェントな測定および制御アルゴリズムの深い統合により、この製品は高精度、信頼性、統合性、そして低ノイズ、低消費電力、コスト効率といった優れた機能を備え、国際的な先進レベルの総合的なパフォーマンスを実現しています。

主な性能パラメータ

テスト項目

単位

MG10000

レンジ

g

±500

帯域幅

Hz

≥50

スケールファクター

LSB/g

8000

スケールファクター繰り返し性

ppm

≤100

スケールファクター温度感度

ppm/℃

≤50

非線形スケールファクター

ppm

≤100

ゼロバイアス安定性 (10秒, 1σ) °/h ≤5

ゼロバイアス繰り返し性

°/h

≤3

角度ランダムウォーク

°/√h

≤0.5

ゼロオフセット温度感度

°/h/℃

≤0.2

G値感度

°/h/g

≤1

振動整流誤差

°/h/grms

≤1

電源投入時間

秒

≤1

衝撃 (通電時)

g

1000

耐衝撃性 (無通電時)

g

10000

振動 (通電時)

/

12grms, 20Hz-2kHz

動作温度

℃

-45~85

供給電圧

V

5±0.25

電流

mA

40

SIMG10000 MEMS ギロスコープ 10°/h ゼロバイアス 安定性 高性能 コンパクト 11.00×11.00×2.75mm


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SIMG10000 MEMS ギロスコープ 10°/h ゼロバイアス 安定性 高性能 コンパクト 11.00×11.00×2.75mm
MOQ: 1セット
配達期間: 5~8営業日
支払方法: L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタンユニオン
詳細情報
ブランド名
SI
モデル番号
SIMG10000
バイアスの安定性:
≤5°/h
帯域幅:
≥50 Hz
非線形スケーリング係数:
≤100 PPM
現在:
40mA
耐衝撃性(無電力):
10000g
タイプ:
MEMS ギロスコップチップ
最小注文数量:
1セット
受渡し時間:
5~8営業日
支払条件:
L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタンユニオン
ハイライト

高精度MEMSジロスコップチップ

,

高精度加速センサー

,

高精度MEMS加速度センサー

製品の説明

完全に国内のシリコンベースMEMS技術プラットフォーム上に構築されたこのシステムは、高性能、高信頼性、完全な自律性というコアの強みにより、正確で信頼性の高い慣性センシングを提供します。
精密マイクロメカニカル設計、高度な製造プロセス、インテリジェントな測定および制御アルゴリズムの深い統合により、この製品は高精度、信頼性、統合性、そして低ノイズ、低消費電力、コスト効率といった優れた機能を備え、国際的な先進レベルの総合的なパフォーマンスを実現しています。

主な性能パラメータ

テスト項目

単位

MG10000

レンジ

g

±500

帯域幅

Hz

≥50

スケールファクター

LSB/g

8000

スケールファクター繰り返し性

ppm

≤100

スケールファクター温度感度

ppm/℃

≤50

非線形スケールファクター

ppm

≤100

ゼロバイアス安定性 (10秒, 1σ) °/h ≤5

ゼロバイアス繰り返し性

°/h

≤3

角度ランダムウォーク

°/√h

≤0.5

ゼロオフセット温度感度

°/h/℃

≤0.2

G値感度

°/h/g

≤1

振動整流誤差

°/h/grms

≤1

電源投入時間

秒

≤1

衝撃 (通電時)

g

1000

耐衝撃性 (無通電時)

g

10000

振動 (通電時)

/

12grms, 20Hz-2kHz

動作温度

℃

-45~85

供給電圧

V

5±0.25

電流

mA

40

SIMG10000 MEMS ギロスコープ 10°/h ゼロバイアス 安定性 高性能 コンパクト 11.00×11.00×2.75mm