|
أجهزة MEMS الرقمية الصناعية أجهزة تشابك المسرع الحساسة القائمة على السيليكون ضوضاء أقل
| موك: | 1 مجموعة |
| فترة التسليم: | 5-8 أيام عمل |
| طريقة الدفع: | خطاب الاعتماد، D/A، D/P، T/T، ويسترن يونيون |
رقائق MEMS التصنيعية الرقمية,رقاقات تسريع MEMS القائمة على السيليكون
,Silicon Based MEMS Accelerometer Chips
مقياس تسارع MEMES الرقمي من سلسلة MA1000 هو مستشعر جدران MEMES القائم على السيليكون ذو أداء عالية وموثوقية عالية وإنتاج محلي يحتوي على ضوضاء أقل واستقرار أعلىالتكرارية الجيدةتتضمن مقاييس تسارع MEMS من سلسلة MA1000 أجهزة استشعار درجة حرارة داخلية وتدعم تعويض درجة الحرارة على الشريحة.
معايير الأداء الرئيسية
|
عنصر الاختبار |
الوحدة |
MA1000-30A |
MA1000-30B |
MA1000-50A |
|
النطاق |
g |
30 |
30 |
50 |
|
الضوضاء |
ميكروغرام/√ هرتز |
≤80 |
≤ 150 |
≤100 |
|
استقرار التحيز (1σ@10s) |
ميكروغرام |
≤100 |
≤500 |
≤ 150 |
|
حساسية درجة حرارة التحيز |
ميكروغرام/°C |
≤50 |
≤200 |
≤ 150 |
|
التحيز الحراري الهستيريس |
ملغ |
≤2 |
≤10 |
≤5 |
|
عامل الحجم |
LSB/g |
250000±2500 |
250000±2500 |
150000±1500 |
|
عدم خطية عامل المقياس |
% |
≤0.3 |
≤0.5 |
≤1 |
|
معامل غير خطي من الدرجة الثانية |
μg/g2 |
≤100 |
≤200 |
≤100 |
|
عرض النطاق الترددي (يمكن ضبطه) |
هرتز |
100 |
100 |
100 |
|
القرار |
ميكروغرام |
≤25 |
≤50 |
≤50 |
|
مقاومة الصدمات |
g |
500 |
500 |
500 |
|
VRE (6.06grms) |
g |
≤0.15 |
≤0.3 |
≤0.1 |
|
درجة حرارة التشغيل |
mg/g2rms |
-45 ~ 85 |
-45 ~ 85 |
-45 ~ 85 |
|
وقت البدء |
s |
≤1 |
≤1 |
≤1 |
|
تردد العينات (يمكن ضبطها، القيمة القصوى 2000) |
هرتز |
500 |
500 |
500 |
|
فولتاج التزويد |
V |
5±0.25 |
5±0.25 |
5±0.25 |
|
التيار الحالي |
mA |
≤10 |
≤10 |
≤10 |
|
واجهة الاتصال |
- |
SPI/I2C |
SPI/I2C |
SPI/I2C |
