|
تراشههای شتابسنج MEMS دیجیتال صنعتی، سنسور اینرسی مبتنی بر سیلیکون با نویز کم
| MOQ: | 1SET |
| دوره تحویل: | 5-8 روز کاری |
| روش پرداخت: | L/C، D/A، D/P، T/T، وسترن یونیون |
تراشههای شتابسنج MEMS دیجیتال صنعتی,تراشههای شتابسنج MEMS مبتنی بر سیلیکون
,Silicon Based MEMS Accelerometer Chips
سرعت سنج دیجیتال MEMES سری MA1000 یک سنسور بی وقفه MEMES مبتنی بر سیلیکون با عملکرد بالا، قابلیت اطمینان بالا و تولید داخلی با نویز کمتر، ثبات بالاتر،تکرار خوبسرعت سنج های MEMS سری MA1000 شامل سنسورهای دمای داخلی هستند و از جبران دمای روی تراشه پشتیبانی می کنند.
پارامترهای عملکرد اصلی
|
ماده آزمایش |
واحد |
MA1000-30A |
MA1000-30B |
MA1000-50A |
|
محدوده |
g |
30 |
30 |
50 |
|
سر و صدا |
μg/√Hz |
≤80 |
≤150 |
≤100 |
|
ثبات تعصب (1σ@10s) |
μg |
≤100 |
≤500 |
≤150 |
|
حساسیت درجه حرارت تعصب |
μg/°C |
≤50 |
≤200 |
≤150 |
|
هیستریز درجه حرارت تعصب |
مگ |
≤2 |
≤10 |
≤5 |
|
فاکتور مقیاس |
LSB/g |
250000±2500 |
250000±2500 |
150000±1500 |
|
عدم خطی بودن فاکتور مقیاس |
% |
≤0.3 |
≤0.5 |
≤1 |
|
ضریب غیرخطی درجه دوم |
μg/g2 |
≤100 |
≤200 |
≤100 |
|
پهنای باند (قابل تنظیم) |
هرتز |
100 |
100 |
100 |
|
قطعنامه |
μg |
≤25 |
≤50 |
≤50 |
|
مقاومت در برابر ضربه |
g |
500 |
500 |
500 |
|
VRE (6.06grms) |
g |
≤0.15 |
≤0.3 |
≤0.1 |
|
دمای کار2 |
mg/g2rms |
-45 تا 85 |
-45 تا 85 |
-45 تا 85 |
|
زمان شروع |
s |
≤1 |
≤1 |
≤1 |
|
فرکانس نمونه گیری (قابل تنظیم، حداکثر مقدار 2000) |
هرتز |
500 |
500 |
500 |
|
ولتاژ تغذیه |
V |
5±0.25 |
5±0.25 |
5±0.25 |
|
جریان |
mA |
≤10 |
≤10 |
≤10 |
|
رابط ارتباطی |
- |
SPI/I2C |
SPI/I2C |
SPI/I2C |
